Ерлангенський Інститут інтегрованих систем та пристроїв Fraunhofer IISB та виробник мікрохвильових та радіочастотних плазмових систем PVA TePla AG з Веттенберга об'єднують свій досвід у спільній лабораторії з виробництва кристалів нітриду алюмінію (AlN).
Це партнерство, вперше в Європі, дозволяє промислово підтримувати дрібносерійне виробництво монокристалічних підкладок AlN діаметром 2 дюйми для дослідницьких та розробницьких цілей. Це значно покращує доступність підкладок AlN в Європі, що, у свою чергу, прискорює розробку пристроїв та систем на основі AlN та їх перехід до промислового застосування.
Нітрид алюмінію є одним із найперспективніших матеріалів для наступного покоління високопродуктивної електроніки. Як напівпровідник з надширокозонною забороненою зоною (UWBG), AlN відкриває нові можливості у фотоніці, силовій електроніці, високочастотній електроніці та електроніці, що працює в екстремальних умовах. На сьогоднішній день дефіцит високоякісних, великоплощинних та економічно ефективних підкладок AlN стримує розвиток електронних систем на основі AlN.
«Завдяки Спільній лабораторії ми закладаємо основу для забезпечення надійного постачання AlN-підкладок з Європи, тим самим відкриваючи нові перспективи для наступного покоління високопродуктивних AlN-пристроїв», — каже доктор Свен Безендьорфер, керівник групи з нітридних матеріалів та відповідальний за розробку AlN-матеріалів у Fraunhofer IISB. «Разом з PVA TePla ми вносимо наш досвід у промисловому вирощуванні кристалів, створюючи тим самим передумови для перенесення його на бетонні застосування».
Перевірена технологія обладнання поєднується з власними технологічними знаннями
У спільній лабораторії Fraunhofer IISB використовує власну технологію PVT (фізичне перенесення пари) для виробництва 2-дюймових об'ємних кристалів AlN. У цьому процесі порошок AlN випаровується в тиглі за температури значно вище 2000°C та осаджується на зародковий кристал. PVA TePla надає для цієї мети PVT-системи, які вже використовуються в усьому світі для кристалів карбіду кремнію (SiC) діаметром 8 дюймів і тепер спеціально адаптовані для вирощування 2-дюймових кристалів AlN.
Завдяки досвіду в галузі технологічних процесів, наданому Fraunhofer IISB, команда PVA TePla швидко змогла виробляти кристали AlN порівнянної якості на власних потужностях. Об'єднана лабораторія зосереджується на стабільному невеликому виробництві 2-дюймових кристалів AlN. Зараз виробництво поступово нарощується для систематичної оптимізації стабільності процесу, відтворюваності, виходу та структури витрат.
«Завдяки нітриду алюмінію ми активно формуємо наступне покоління технологій, що йдуть слідом за SiC», — каже доктор Ян Пфайффер, віцепрезидент з досліджень і розробок у PVA TePla. «Завдяки Спільній лабораторії ми можемо безпосередньо поєднати наш досвід в галузі обладнання з технологічними знаннями Fraunhofer IISB, що дозволить нам пропонувати ринково-орієнтовані рішення нашим глобальним клієнтам на ранній стадії», — додає він. «Наша спільна мета — стимулювати розвиток ринку в секторі AlN за допомогою відповідних підкладок і підтримувати компанії, які прагнуть увійти в цю сферу як технологічні партнери, маючи правильне обладнання та відповідний технологічний досвід».
Зміцнення європейського технологічного суверенітету шляхом масштабування промисловості
Кристали AlN, вироблені в Об'єднаній лабораторії, далі переробляються у Fraunhofer IISB на підкладки AlN, готові до використання в епідеміологічних умовах, і через дослідницьку та розробницьку компанію LZE GmbH з Ерлангена цілеспрямовано переходять у процеси промислової розробки та масштабування. «Для європейського напівпровідникового суверенітету вкрай важливо не лише розробляти нові ключові матеріали, але й швидко переносити їх у промислове застосування та масштабоване створення цінності», — каже керуючий директор LZE доктор Крістіан Форстер. «Завдяки своєму ринку передових технологій LZE GmbH надає компаніям та дослідницьким установам унікальний у всьому світі та відкритий доступ до підкладок AlN. Таким чином, ми допомагаємо забезпечити швидший вивід на ринок перспективних застосувань для промислових ринків з великими обсягами виробництва».
Час публікації: 20 липня 2026 р.